sean의 딥다이브

반도체의 성능, 속도, 양산성을 향상시키기 위해 트랜지스터의 크기를 줄이는 방향으로 연구개발이 이루어져 왔습니다. 하지만 트랜지스터의 크기가 14nm이하로 작아지면서, short channel effect등의 여러 부작용이 나타나게 되었습니다. 채널이 안정적으로 작동할 만큼의 채널 길이가 확보되지 않은 점이 주원인입니다. 이런 문제점을 해결하기 위해서 트랜지스터 구조를 2D가 아닌 3D로 만드는 방향으로 연구가 진행되었습니다. 반도체 기초 - 반도체란 무엇인가 반도체 기초 - 진성반도체, P형, N형, PN접합 반도체 기초 - 트랜지스터, MOSFET 1. FinFET 트랜지스터의 모양이 물고기의 지느러미인 핀(Fin) 과 닮은 모양이라고 해서, FinFET이라는 이름이 붙었습니다. 소스와 드레인과 기판..